第三代半導體
長期以來，半導體產業主要環繞著以矽（Si）和鍺（Ge）為關鍵材料的「第1類半導體」。不同於第1類半導體是單一材料，合計占半導體總產值不到1成的第2類和第3類半導體，都是由2種（或2種以上）材料集結而成，又稱為化合物半導體（Compound Semiconductor）。
其中，第2類半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為主，由於速率快、低雜訊，是3D感測、光達、射頻（手機／基地台）的主流材料，具高頻與高功率特性，幾乎所有手機裡都有它。
【第3類半導體】寬能隙半導體（Wide Band Gap Semiconductors），又稱第3代半導體，但第3代並不能取代第1代或第2代，各類半導體皆有適用的應用領域。「碳化矽在高功率、高電壓的元件上性能優異，能提供更高效率的電子轉換能力、帶來更好的節能效果，延長電動車電池的續航力， 有機會部分取代原本以矽為基礎的功率元件 。」中央大學副校長綦振瀛指出。
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